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高誘電率材料による高絶縁薄膜の形成技術

Request Number REQ8373180J
Due Date May 7, 2018
Request for Proposal Details
RFP Title
高誘電率材料による高絶縁薄膜の形成技術
RFP Description

ナインシグマ社は、大手メーカーを代理して、高誘電率材料および、それによる高絶縁薄膜の形成技術を求めている。

Background

ナインシグマの依頼主である大手メーカーは、大規模太陽光発電や電気自動車など、様々な分野で大きな電力を取り扱う可能性が高まる今後の社会において、小型かつ高性能なコンデンサの実現が必要不可欠であると考えている。

 

一方で近年、パワーデバイス需要の大きな盛り上がりと共に、有力な材料やその薄膜化技術が世界中で幅広く取り組まれている。依頼主は同様の方向性で開発を進める有望組織とパートナーシップを組むことにより、本課題の解決を加速させたいと考え、本公募の実施に踏み切った。

 

Key Success Criteria

高誘電率材料とその薄膜化技術の双方を持ち合わせることが望ましいが、いずれか一方を持ち合わせる組織からの提案も含め幅広く歓迎する。

 

最終的に実現したい高誘電率材料

最終的に薄膜化することが可能な高誘電率材料。概要は以下の通り。

  • 比誘電率:3以上
  • 耐熱性:130°C以上
  • 材質:樹脂、セラミックス、複合材など(材料の種類は問わない)
    • フィラーを導入する場合、薄膜化した際にも十分な絶縁性を担保できること

 

求める高誘電率膜の薄膜化技術

高誘電率材料を下記のような薄膜状に加工または形成できる技術。

  • 膜厚および絶縁性:2 μm以下にて750 V程度
  • 膜質:均質で欠陥がないこと
  • 膜の形成方法:問わないが、例として以下の通り
    • 樹脂の場合:延伸によるフィルム成形
    • セラミックスの場合:蒸着による膜成形(基材の種類は現時点で問わない)。ただし、薄膜化による使用量削減など、原理的に低コスト化が可能であること
  • 現時点での技術レベル:試作レベルで構わない。ただし1 – 2年以内に評価用サンプルが提供可能であると望ましい

 

依頼主はこうした膜材料やその薄膜化技術を5年程度の追加開発を経て確立していきたいと考えている。そのため現時点で技術として未確立であっても、本課題の解決に意欲をもつ提案組織からの提案を幅広く受け付ける。

 

想定されるプロジェクトの進め方

依頼主は、はじめに書面による一次スクリーニングを行う。その後、有望な提案に対して追加質問や直接の議論を行い、最終選考に進む候補を選定する。選定後、依頼主は、サンプルテストなどを通して、技術の確認を行う。選考の過程で、必要に応じて提案者と依頼主は秘密保持契約(NDA)を締結し、さらなる情報開示や具体的な開発の進め方の議論を行う

その後、提案者と必要な契約を提携し、技術の実証・追加開発を行い、技術の確立を目指す。具体的な協業体制については協議の上決定する

 

Possible Approaches

期待している提案組織

例えば下記のような技術をもつ組織からの提案に期待しているが、これらに限らない。

  • 高誘電率を実現する材料技術
    • ナノサイズのフィラーを導入したポリプロピレン樹脂
  • 高誘電率膜の形成技術
    • 欠陥なく薄膜化できるフィルムの延伸技術
    • 低コストでの実現が可能な、高誘電率セラミックスの高品質な蒸着技術

 

Preferred Collaboration types
  • Joint Development
  • Contract Research
  • Technology Licensing
  • Supply Agreement
Items to be submitted

提案書への記載が推奨される事項

提案書には下記の項目の記載をお願いいたします。

  • 提案技術の概要
  • 提案技術の種類(材料/膜形成技術/両方)
  • 提案技術の独自性
  • 提案技術の開発ステージ(コンセプト段階/試作検討段階/実用化済み)
  • 現在のパフォーマンス
    • 高誘電率材料の材質
    • 比誘電率
    • 耐熱性
    • 実現可能な膜厚及び絶縁性(500, 750, 1000 Vの耐圧を確保するために必要な膜厚をご記載ください)
    • 膜形成方法(延伸/蒸着/その他)
      • (蒸着の場合)適用可能な基板材料
  • 特許や知的財産権の取扱いに関する要望
  • 最終要件を満たすための課題と今後の開発計画

 

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